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三星全球首秀3nm!

发布日期:2021-11-24 22:58   来源:未知   阅读:

  根据之前DigiTimes援引的一份报告显示,台积电(TSMC)有望在今年下半年开始风险生产3nm制造工艺,届时该晶圆厂将有能力处理3万片使用更先进技术打造的晶圆。

  而三星这边,虽然一直处于稍落后与台积电的地步,但也一直在不断追赶。之前有消息称三星电子正在考虑投资高达170亿美元在亚利桑那州、德萨斯州或纽约州建立一家芯片制造工厂。

  并且三星为在更短的时间内追赶上台积电,直接跳过了4nm工艺节点,从5nm跃升至3nm。

  近日,根据TomsHardware的消息,在IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。

  在三星路线nm都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

  三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

  GAAFET技术又分为两种类型,一是常规GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。

  三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Mb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电压只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。

  按照三星的说法,3GAE工艺相比于其7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

  三星的3GAE(其第一代MBCFET技术)将于2022年推出。虽然三星目前尚未披露其所有特性,但三星在ISSCC上讨论了如何使用新型晶体管来提高SRAM性能和可扩展性,但尚未公布任何客户。

  近年来,SRAM的可扩展性一直落后于逻辑的可扩展性。同时,现代片上系统将SRAM的负载用于各种高速缓存,因此提高其可伸缩性是一项至关重要的任务。